合肥四氟化碳-高純四氟化碳價(jià)格-安徽譜純 純度高：

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四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，合肥四氟化碳，在不通風(fēng)的地方會(huì)導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風(fēng)的庫(kù)房?jī)?nèi)，四氟化碳供應(yīng)商，嚴(yán)禁曝曬，遠(yuǎn)離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，四氟化碳廠商，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長(zhǎng)有關(guān)。零下198 °C時(shí)，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，四氟化碳生產(chǎn)廠家，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

 吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān)，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

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